近日，英飛淩科技股份公司進一步擴展其碳化矽（SiC）產品組合，推出650V器件。其全新發佈的CoolSiC MOSFET滿足了包括伺服器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

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“隨著新產品的發佈，英飛淩完善了其600V/650V細分領域的矽基、碳化矽以及氮化鎵功率半導體產品組合，”英飛淩電源管理及多元化市場事業部高壓轉換業務高級總監Steffen Metzger表示，“這凸顯了我們在市場中的獨特地位：英飛淩是市場上唯一一家能夠提供涵蓋矽、碳化矽和氮化鎵等材料的全系列功率產品的製造商。而全新CoolSiC系列是我們矢志成為工業SiC MOSFET開關領域頭號供應商的有力支持。”

650 V CoolSiC MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間，既可採用典型的TO-247 3引腳封裝，也支持開關損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過去發佈的所有CoolSiC MOSFET產品相比，全新650V系列基於英飛淩先進的溝槽半導體技術。通過最大限度地發揮碳化矽強大的物理特性，確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關損耗和導通損耗。此外，它們還具備最高的跨導水準（增益）、4V的閾值電壓（Vth）和短路穩健性。總而言之，溝槽技術可以在毫不折衷的情況下，在應用中實現最低的損耗，並在運行中實現最佳可靠性。

與市面上其他矽基以及碳化矽解決方案相比，650 V CoolSiC MOSFET能夠帶來更加吸引人的優勢：更高開關頻率下更優的開關效率以及出色的可靠性。得益於與溫度相關的超低導通電阻（RDS(on)），這些器件具備出色的熱性能。此外，它們還採用了堅固耐用的體二極體，有非常低的反向恢復電荷：比最佳的超結CoolMOS MOSFET低80%左右。其換向堅固性，更是輕鬆實現了98%的整體系統效率，如通過連續導通模式圖騰柱功率因素校正（PFC）。

為了簡化採用650 VCoolSiC MOSFET的應用設計，確保器件高效運行，英飛淩還提供了專用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER柵極驅動器IC。這個解決方案（整合了CoolSiC開關和專用的柵極驅動器IC）有助於降低系統成本和總擁有成本，以及提高能效。CoolSiC MOSFET可與其它英飛淩EiceDRIVER柵極驅動器系列IC無縫協作。

供貨情況

650 V CoolSiC MOSFET系列共8個版本，採用兩種插件TO-247封裝，現已支持訂購。三種專用柵Memsic極驅動器IC將於2020年3月起供貨。