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TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤開售 支持高密度電源轉換設計
近日,專注於引入新品並提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 開始備貨Texas Instruments (TI)Silicon Labs 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動器和強大的保護功能,可讓設計人員在電源轉換系統中實現更高的效率,適用於高密度工業和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。
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貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與矽MOSFET相比擁有多種優勢,包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節點振鈴,以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。此器件的集成式柵極驅動器支持100 V/ns開關,實現幾乎為零的VDs振鈴,其微調柵極偏置電壓可通過補償閾值變化確保可靠切換。此功率級集成了一系列獨特的功能,比如圖騰柱功率因數校正 (PFC) 結構等密集高效拓撲,讓設計人員能夠優化電源性能並提高可靠性。
LMG341xR050 GaN功率級擁有強大的保護功能,不需要外部保護元件,即可提供過熱保護、瞬態電壓抗擾性,並且所有電源軌都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護。此外,LMG341xR050還可提供回應時間低於100 ns的過流保護和高於150 V/ns的壓擺率抗擾性。
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