基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣佈其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，Micron適用於2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS鈦金級效率認證的伺服器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率範圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。

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全新650V H2功率GaN FET採用TO-247封裝，對於給定RDS(on)值，晶片尺寸縮小36%，具有更好的穩定性和效率。級聯配置無需複雜的驅動電路，加快了產品上市速度。該器件在硬開關和軟開關電路中均具有出色的性能，為設計人員提供極大的靈活性。Nexperia GaN戰略市場總監Dilder Chowdhury解釋說：“鈦金級是80 PLUS規格中最嚴苛的，滿載條件下要求達到>91%的效率（半載條件下>96%）。對於2 kW及更高功率的伺服器電源應用，使用傳統矽器件來實現這種性能水準，電路設計複雜而具有挑戰性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，並能減少尺寸和系統成本。”Nexperia GAN041-650WSB GaN FET現已大量供貨。