比利時·蒙-聖吉貝爾，2019年5月13日– 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅動器、碳化矽（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模組。PCIM 2019是全球領先的電力電子、智能傳動、可再生能源和能源管理展覽及會議。

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CISSOID公司推出了一款新型柵極驅動器板，該板針對額定溫度為125°C（環境溫度）的62mm碳化矽MOSFET功率模組進行了優化。該板基於CSOCISSOID的HADES柵極驅動器晶片組，還可以驅動IGBT功率模組，同時可為汽車和工業應用中高密度功率轉換器的設計提供散熱空間。它支持高頻（> 100KHz）和快速的碳化矽MOSFET開關（dV/dt> 50KV/μs），從而可以提升功率轉換器的效率並減小其尺寸和重量。該板專為惡劣的電壓環境而設計，支持1200V和1700V功率模組的驅動，隔離電壓高達3600V（經過50Hz、1分鐘的耐壓測試），爬電距離為14mm。欠壓鎖定（UVLO）、有源米勒鉗位（AMC）和去飽和檢測等保護功能，確保一旦發生故障時既可以保證安全駕駛，還能為功率模組提供可靠的保護。“這款新型碳化矽柵極驅動器板是與汽車、運輸和航空航太市場中的行業領導者們多年合作開發的成果。它結合了CISSOID在碳化矽器件方面的專業知識以及設計適應惡劣環境的晶片和電子系統方面的長期經驗。”CISSOID工程副總裁Etienne Vanzieleghem 先生表示。

在紐倫堡，CISSOID還展示了最新的碳化矽MOSFET器件和IGBT功率模組。一款新型分立式1200V/40mOhms碳化矽MOSFET電晶體已可供貨，其採用TO-247封裝，可以在-55°C至175°C的溫度範圍內正常工作。該MOSFET在25°C（結溫）時，漏極到源極導通電阻是40mOhms，在175°C（結溫）時，導通電阻是75mOhms。很低的開關導通和關斷能量（分別為1mJ和0.4mJ）使該器件成為高效緊湊的DC-DC轉換器、功率逆變器和電池充電器的理想選擇。CISSOID公司還展示了兩款額定電流分別為200A和300A的62mm 1200V IGBT功率模組。

CISSOID還在致力於研發碳化矽MOSFET功率模組，並將在未來幾個月推出。“這些新產品表明CISSOID致力於提供全面的基於碳化矽的解決方案，包括電晶體、模組和柵極驅動器，以支持行業在新型電動汽車和可再生能源應用中使用高效、輕便、緊湊的功率轉換產品，”CISSOID首席執行官Dave Hutton先生表示。“我們正與整車廠和汽車零部件供應商密切合作，為新型碳化矽功率逆變器在新能源汽車中的應用定制柵極驅動器。”他補充道。