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    WNSC08650T6J（WeEn） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    WNSC08650T6J圖片
    基本資料：
  • 零件型號：WNSC08650T6J
  • 制造廠商：WeEn
  • 技術規格：SILICON CARBIDE POWER DIODE
  • 功能類別：二極體 - 整流器 - 單
  • 點擊此處下載WNSC08650T6J的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：WNSC08650T6J
  • 製造商：WeEn Semiconductors
  • 描述：SILICON CARBIDE POWER DIODE
  • 系列：二極體 - 整流器 - 單
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：有源
  • 二極體類型：碳化矽肖特基
  • 電壓-DC反向(Vr)（最大值）：650V
  • 電流-平均整流(Io)：8A
  • 不同If時電壓-正向(Vf)：1.7V @ 8A
  • 速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
  • 反向恢復時間(trr)：0ns
  • 不同Vr時電流-反向洩漏：50µA @ 650V
  • 不同 Vr、F時電容：267pF @ 1V，1MHz
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：4-VDFN
  • 供應商器件封裝：5-DFN（8x8）
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    WNSC08650T6J（制造商：WeEn），技術規格SILICON CARBIDE POWER DIODE 二極體 - 整流器 - 單
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