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SQM200N04-1M7L-GE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
SQM200N04-1M7L-GE3圖片
基本資料:
  • 零件型號:SQM200N04-1M7L-GE3
  • 制造廠商:Vishay
  • 技術規格:MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
  • 功能類別:單端場效應管
  • 點擊此處下載SQM200N04-1M7L-GE3的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • Vishay威世半導體原廠型號:SQM200N04-1M7L-GE3
  • 製造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
  • 系列:TrenchFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):40V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):200A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):291nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):11168pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:375W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片)
  • 供應商器件封裝:TO-263-7
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