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SQM110N05-06L-GE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
SQM110N05-06L-GE3圖片
基本資料:
  • 零件型號:SQM110N05-06L-GE3
  • 制造廠商:Vishay
  • 技術規格:MOSFET N-CH 55V 110A TO263
  • 功能類別:單端場效應管
  • 點擊此處下載SQM110N05-06L-GE3的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • Vishay威世半導體原廠型號:SQM110N05-06L-GE3
  • 製造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO263
  • 系列:TrenchFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):55V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):110A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):6 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):110nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4440pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:157W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak)
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    SQM110N05-06L-GE3(制造商:Vishay),技術規格MOSFET N-CH 55V 110A TO263 單端場效應管
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