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    SQJ960EP-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    SQJ960EP-T1-GE3圖片
    基本資料：
  • 零件型號：SQJ960EP-T1-GE3
  • 制造廠商：Vishay
  • 技術規格：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
  • 功能類別：場效應管陣列
  • 點擊此處下載SQJ960EP-T1-GE3的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • Vishay威世半導體原廠型號：SQJ960EP-T1-GE3
  • 製造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
  • 系列：TrenchFET
  • FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：60V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：36 毫歐 @ 5.3A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：735pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：34W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：PowerPAK SO-8 雙
  • 供應商器件封裝：PowerPAK SO-8 Dual
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