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    SQJ912BEP-T1_GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    SQJ912BEP-T1_GE3圖片
    基本資料：
  • 零件型號：SQJ912BEP-T1_GE3
  • 制造廠商：Vishay
  • 技術規格：MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載SQJ912BEP-T1_GE3的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：SQJ912BEP-T1_GE3
  • 製造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：2 N-通道（雙）
  • FET功能：標準
  • 漏源電壓（Vdss）：40V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：30A（Tc）
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：11 毫歐 @ 9A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：60nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3000pF @ 25V
  • 功率-最大值：48W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：PowerPAK® SO-8 雙
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