SQJ570EP-T1_GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SQJ570EP-T1_GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®零件狀態：有源FET類型：N 和 P 溝道FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：100V25°C時電流-連續漏極(Id)：15A（Tc），9.5A（Tc）不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 6A，10V，146 毫歐 @ 6A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：20nC @ 10V，15nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：650pF @ 25V，600pF @ 25V功率-最大值：27W工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：PowerPAK® SO-8 雙南皇電子自營直供，SQJ570EP-T1_GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SQJ570EP-T1_GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
