SQJ412EP-T1-GE3（Vishay）-南皇電子|電子元器件代理

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SQJ412EP-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：SQJ412EP-T1-GE3

制造廠商：Vishay

技術規格：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

功能類別：單端場效應管

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技術參數詳情：

Vishay威世半導體原廠型號：SQJ412EP-T1-GE3

製造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：32A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.1 毫歐 @ 10.3A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：120nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5950pF @ 20V

功率 - 最大值：83W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8

供應商器件封裝：PowerPAK SO-8

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SQJ412EP-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 單端場效應管

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