SQJ262EP-T1_GE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:SQJ262EP-T1_GE3製造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8系列:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®零件狀態:有源FET類型:2 N-通道(雙)FET功能:標準漏源電壓(Vdss):60V25°C時電流-連續漏極(Id):15A(Tc),40A(Tc)不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):35.5 毫歐 @ 2A,10V,15.5 毫歐 @ 5A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):10nC @ 10V,23nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):550pF @ 25V,1260pF @ 25V功率-最大值:27W(Tc),48W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:PowerPAK® SO-8 雙南皇電子自營直供,SQJ262EP-T1_GE3均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
SQJ262EP-T1_GE3(制造商:Vishay),技術規格MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 電晶體 - FET,MOSFET - 陣列