SISS94DN-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SISS94DN-T1-GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TrenchFET®零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：200V25°C時電流-連續漏極(Id)：5.4A（Ta），19.5A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：75 毫歐 @ 5.4A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：21nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：350pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：5.1W (Ta)，65.8W (Tc)工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK® 1212-8S南皇電子自營直供，SISS94DN-T1-GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SISS94DN-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
