SISS80DN-T1-GE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:SISS80DN-T1-GE3製造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個產品系列:TrenchFET® Gen IV零件狀態:有源FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續漏極(Id):58.3A(Ta),210A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):0.92 歐姆 @ 10A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):122nC @ 10VVgs(最大值):+12V,-8V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):6450pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):5W(Ta),65W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:PowerPAK® 1212-8S南皇電子自營直供,SISS80DN-T1-GE3均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
SISS80DN-T1-GE3(制造商:Vishay),技術規格MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK 電晶體 - FET,MOSFET - 單個