SISS66DN-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SISS66DN-T1-GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TrenchFET® Gen IV零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：49.1A（Ta），178.3A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.38 毫歐 @ 20A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：85.5nC @ 10VVgs（最大值）：+20V，-16V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3327pF @ 15VFET功能：肖特基二極體（體）功率耗散（最大值）：5.1W (Ta)，65.8W (Tc)工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK® 1212-8S南皇電子自營直供，SISS66DN-T1-GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SISS66DN-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
