SISH625DN-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SISH625DN-T1-GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TrenchFET®零件狀態：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：17，3A（Ta），35A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：7 毫歐 @ 15A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：126nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4427pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），52W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK® 1212-8SH南皇電子自營直供，SISH625DN-T1-GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SISH625DN-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
