SISF02DN-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SISF02DN-T1-GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：TrenchFET® Gen IV零件狀態：有源FET類型：2 N 溝道（雙）共漏FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：25V25°C時電流-連續漏極(Id)：30.5A（Ta），60A（Tc）不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3.5 毫歐 @ 7A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：56nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2650pF @ 10V功率-最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：PowerPAK® 1212-8SCD南皇電子自營直供，SISF02DN-T1-GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SISF02DN-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
