SIS903DN-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SIS903DN-T1-GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列產品系列：TrenchFET® Gen III零件狀態：有源FET類型：2 個 P 溝道（雙）FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續漏極(Id)：6A（Tc）不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：20.1 毫歐 @ 5A，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：42nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2565pF @ 10V功率-最大值：2.6W（Ta），23W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：PowerPAK® 1212-8 雙南皇電子自營直供，SIS903DN-T1-GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SIS903DN-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
