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SIRB40DP-T1-GE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
SIRB40DP-T1-GE3圖片
基本資料:
  • 零件型號:SIRB40DP-T1-GE3
  • 制造廠商:Vishay
  • 技術規格:MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:SIRB40DP-T1-GE3
  • 製造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:TrenchFET®
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):40V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):40A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3.25 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):45nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):4290pF @ 20V
  • 功率-最大值:46.2W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:PowerPAK® SO-8 雙
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