SIRA20DP-T1-RE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SIRA20DP-T1-RE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TrenchFET®零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：25V25°C時電流-連續漏極(Id)：81.7A（Ta），100A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：0.58 毫歐 @ 20A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：200nC @ 10VVgs（最大值）：+16V，-12V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：10850pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：6.25W（Ta），104W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK® SO-8南皇電子自營直供，SIRA20DP-T1-RE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SIRA20DP-T1-RE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
