南皇電子
SIRA14BDP-T1-GE3全球貨源,采購無憂
多年專註,初心從未改變,千萬級電子元器件現貨庫存
買電子元器件就找南皇電子
SIRA14BDP-T1-GE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
SIRA14BDP-T1-GE3圖片
基本資料:
  • 零件型號:SIRA14BDP-T1-GE3
  • 制造廠商:Vishay
  • 技術規格:MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載SIRA14BDP-T1-GE3的原廠技術規格書(PDF文件)
  • 現貨為主,快速報價,盡全力滿足客戶從研發到批量生產的所有采購需求!
  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:SIRA14BDP-T1-GE3
  • 製造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:TrenchFET® Gen IV
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):21A(Ta),64A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):5.38 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):22nC @ 10V
  • Vgs(最大值):+20V,-16V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):917pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.7W(Ta),36W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PowerPAK® SO-8
  • 南皇電子自營直供,SIRA14BDP-T1-GE3均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
  • 相關的熱門電子元器件及其品牌
    BZX84C6V8-G3-08
    二極體 - 齊納 - 單
    SIHF10N40D-E3
    電晶體 - FET,MOSFET - 單個
    VS-10CTQ150PBF
    二極體 - 整流器 - 陣列
    VS-42CTQ030STRRPBF
    二極體 - 整流器 - 陣列
    BZG03C18TR
    二極體 - 齊納 - 單
    MMSZ5226B-HE3-08
    二極體 - 齊納 - 單
    SIRA14BDP-T1-GE3(制造商:Vishay),技術規格MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8 電晶體 - FET,MOSFET - 單個
    您值得選擇的電子元器件代理商
    買IC、電子元器件就找南皇電子,幫助您按時按預算地買到高品質的SIRA14BDP-T1-GE3現貨原裝部件