南皇電子
SIR180DP-T1-RE3全球貨源,采購無憂
多年專註,初心從未改變,千萬級電子元器件現貨庫存
買電子元器件就找南皇電子
SIR180DP-T1-RE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
SIR180DP-T1-RE3圖片
基本資料:
  • 零件型號:SIR180DP-T1-RE3
  • 制造廠商:Vishay
  • 技術規格:MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載SIR180DP-T1-RE3的原廠技術規格書(PDF文件)
  • 現貨為主,快速報價,盡全力滿足客戶從研發到批量生產的所有采購需求!
  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:SIR180DP-T1-RE3
  • 製造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:TrenchFET® Gen IV
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):32.4A(Ta),60A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):7.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):2.05 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):87nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):4030pF @ 30V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):5.4W(Ta),83.3W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PowerPAK® SO-8
  • 南皇電子自營直供,SIR180DP-T1-RE3均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
  • 相關的熱門電子元器件及其品牌
    IRFP264
    電晶體 - FET,MOSFET - 單個
    BYG20D-E3/TR3
    二極體 - 整流器 - 單
    BZT52B51-HE3-08
    二極體 - 齊納 - 單
    PTV7.5B-E3/85A
    二極體 - 齊納 - 單
    TZX20A-TR
    二極體 - 齊納 - 單
    SMAJ60A-M3/61
    TVS - 二極體
    SIR180DP-T1-RE3(制造商:Vishay),技術規格MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK 電晶體 - FET,MOSFET - 單個
    您值得選擇的電子元器件代理商
    買IC、電子元器件就找南皇電子,幫助您按時按預算地買到高品質的SIR180DP-T1-RE3現貨原裝部件