SIR120DP-T1-RE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:SIR120DP-T1-RE3製造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個產品系列:TrenchFET® Gen IV零件狀態:有源FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):80V25°C時電流-連續漏極(Id):24.7A(Ta),106A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):7.5V,10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3.55 毫歐 @ 15A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):94nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):4150pF @ 40VFET功能:-功率耗散(最大值):5.4W(Ta),100W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:PowerPAK® SO-8南皇電子自營直供,SIR120DP-T1-RE3均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
SIR120DP-T1-RE3(制造商:Vishay),技術規格MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK 電晶體 - FET,MOSFET - 單個