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SIHJ10N60E-T1-GE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
SIHJ10N60E-T1-GE3圖片
基本資料:
  • 零件型號:SIHJ10N60E-T1-GE3
  • 制造廠商:Vishay
  • 技術規格:MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:SIHJ10N60E-T1-GE3
  • 製造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:E
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):10A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):360 毫歐 @ 5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):50nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):784pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):89W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PowerPAK® SO-8
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