SIHJ10N60E-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SIHJ10N60E-T1-GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：E零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：10A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：360 毫歐 @ 5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：50nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：784pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：89W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK® SO-8南皇電子自營直供，SIHJ10N60E-T1-GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SIHJ10N60E-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
