SIB412DK-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SIB412DK-T1-GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TrenchFET®零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續漏極(Id)：9A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：34 毫歐 @ 6.6A，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：10.16nC @ 5VVgs（最大值）：±8V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：535pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.4W（Ta），13W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK® SC-75-6L 單南皇電子自營直供，SIB412DK-T1-GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SIB412DK-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
