SIA418DJ-T1-GE3(Vishay) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:SIA418DJ-T1-GE3製造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個產品系列:TrenchFET®零件狀態:停產FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30V25°C時電流-連續漏極(Id):12A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):18 毫歐 @ 9A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):17nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):570pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):3.5W(Ta),19W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:PowerPAK® SC-70-6 單南皇電子自營直供,SIA418DJ-T1-GE3均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
SIA418DJ-T1-GE3(制造商:Vishay),技術規格MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 電晶體 - FET,MOSFET - 單個