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    SI8900EDB-T2-E1（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    SI8900EDB-T2-E1圖片
    基本資料：
  • 零件型號：SI8900EDB-T2-E1
  • 制造廠商：Vishay
  • 技術規格：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載SI8900EDB-T2-E1的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：SI8900EDB-T2-E1
  • 製造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產品系列：TrenchFET®
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：2 N 溝道（雙）共漏
  • FET功能：邏輯電平門
  • 漏源電壓（Vdss）：20V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：5.4A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：-
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 1.1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：1W
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：10-UFBGA，CSPBGA
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