SI7911DN-T1-E3（Vishay）-南皇電子|電子元器件代理

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SI7911DN-T1-E3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：SI7911DN-T1-E3

制造廠商：Vishay

技術規格：MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳情：

製造商產品型號：SI7911DN-T1-E3

製造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：*

零件狀態：停產

FET類型：2 個 P 溝道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：4.2A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：51 毫歐 @ 5.7A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：1.3W

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK® 1212-8 雙

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SI7911DN-T1-E3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

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