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    SI7909DN-T1-E3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    SI7909DN-T1-E3圖片
    基本資料：
  • 零件型號：SI7909DN-T1-E3
  • 制造廠商：Vishay
  • 技術規格：MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載SI7909DN-T1-E3的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：SI7909DN-T1-E3
  • 製造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產品系列：TrenchFET®
  • 零件狀態：停產
  • FET類型：2 個 P 溝道（雙）
  • FET功能：邏輯電平門
  • 漏源電壓（Vdss）：12V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：5.3A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：37 毫歐 @ 7.7A，4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 700µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：1.3W
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：PowerPAK® 1212-8 雙
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    SI7909DN-T1-E3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
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