SI7860DP-T1-E3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SI7860DP-T1-E3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TrenchFET®零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：11A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：8 毫歐 @ 18A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：18nC @ 4.5VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-FET功能：-功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK® SO-8南皇電子自營直供，SI7860DP-T1-E3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SI7860DP-T1-E3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
