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    SI5511DC-T1-E3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    SI5511DC-T1-E3圖片
    基本資料：
  • 零件型號：SI5511DC-T1-E3
  • 制造廠商：Vishay
  • 技術規格：MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載SI5511DC-T1-E3的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：SI5511DC-T1-E3
  • 製造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產品系列：TrenchFET®
  • 零件狀態：停產
  • FET類型：N 和 P 溝道
  • FET功能：邏輯電平門
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：4A，3.6A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：55 毫歐 @ 4.8A，4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：7.1nC @ 5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：435pF @ 15V
  • 功率-最大值：3.1W，2.6W
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：8-SMD，扁平引線
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    SI5511DC-T1-E3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
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