SI2301BDS-T1-GE3（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SI2301BDS-T1-GE3製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TrenchFET®零件狀態：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續漏極(Id)：2.2A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 2.8A，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：10nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：375pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：700mW（Ta）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：SOT-23-3（TO-236）南皇電子自營直供，SI2301BDS-T1-GE3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SI2301BDS-T1-GE3（制造商：Vishay），技術規格MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
