IRFBE30（Vishay） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：IRFBE30製造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：800V25°C時電流-連續漏極(Id)：4.1A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3 歐姆 @ 2.5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：78nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：125W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：TO-220AB南皇電子自營直供，IRFBE30均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
IRFBE30（制造商：Vishay），技術規格MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
