TPH3206LDGB（Transphorm） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：TPH3206LDGB製造商：Transphorm描述：GANFET N-CH 650V 16A PQFN系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時電流-連續漏極(Id)：16A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 11A，8V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 500µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9.3nC @ 4.5VVgs（最大值）：±18V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：760pF @ 480VFET功能：-功率耗散（最大值）：81W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PQFN（8x8）南皇電子自營直供，TPH3206LDGB均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
TPH3206LDGB（制造商：Transphorm），技術規格GANFET N-CH 650V 16A PQFN 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
