TP65H070LDG（Transphorm） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：TP65H070LDG製造商：Transphorm描述：GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TP65H070L零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時電流-連續漏極(Id)：25A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：85 毫歐 @ 16A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9.3nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：600pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：96W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：3-PQFN（8x8）南皇電子自營直供，TP65H070LDG均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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