TPN4R712MD,L1Q（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：TPN4R712MD,L1Q製造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：U-MOSVI零件狀態：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續漏極(Id)：36A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.7 毫歐 @ 18A，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：65nC @ 5VVgs（最大值）：±12V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4300pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：42W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-TSON Advance（3.3x3.3）南皇電子自營直供，TPN4R712MD,L1Q均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
TPN4R712MD,L1Q（制造商：Toshiba），技術規格MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
