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TPC8A04-H(TE12L,Q)(Toshiba) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
TPC8A04-H(TE12L,Q)圖片
基本資料:
  • 零件型號:TPC8A04-H(TE12L,Q)
  • 制造廠商:Toshiba
  • 技術規格:MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
  • 功能類別:單端場效應管
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  • 技術參數詳情:
  • 東芝半導體公司完整型號:TPC8A04-H(TE12L,Q)
  • 製造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):18A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 9A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):56nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5700pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:-
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
  • 供應商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)
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