TPC8120(TE12L,Q,M)（Toshiba）-南皇電子|電子元器件代理

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TPC8120(TE12L,Q,M)（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：TPC8120(TE12L,Q,M)

制造廠商：Toshiba

技術規格：MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP

功能類別：單端場效應管

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技術參數詳情：

東芝半導體公司完整型號：TPC8120(TE12L,Q,M)

製造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.2 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：180nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7420pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）

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TPC8120(TE12L,Q,M)（制造商：Toshiba），技術規格MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP 單端場效應管

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