TPC8117(TE12L,Q)（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
東芝半導體公司完整型號：TPC8117(TE12L,Q)製造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B系列：-FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18A（Ta）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.9 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：130nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4600pF @ 10V功率 - 最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）南皇電子自營直供，TPC8117(TE12L,Q)均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
TPC8117(TE12L,Q)（制造商：Toshiba），技術規格MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B 單端場效應管
