TK31J60W,S1VQ（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：TK31J60W,S1VQ製造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：DTMOSIV零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：30.8A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：88 毫歐 @ 15.4A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.5mA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：86nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3000pF @ 300VFET功能：超級結功率耗散（最大值）：230W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：TO-3P（N）南皇電子自營直供，TK31J60W,S1VQ均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
TK31J60W,S1VQ（制造商：Toshiba），技術規格MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
