TJ11A10M3,S5Q(M（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
東芝半導體公司完整型號: TJ11A10M3,S5Q(M製造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage功能總體簡述: MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3系列: -FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能: 標準漏源極電壓（Vdss）: 100V電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 11A（Ta）不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 130 毫歐 @ 5.5A，10V不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 69nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 3200pF @ 10V功率 - 最大值: 24W安裝類型: 通孔封裝/外殼: TO-220-3 整包供應商器件封裝: TO-220SIS南皇電子自營直供，TJ11A10M3,S5Q(M均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
TJ11A10M3,S5Q(M（制造商：Toshiba），技術規格MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3 FET - 單
