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    TC58BYG0S3HBAI6（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    TC58BYG0S3HBAI6圖片
    基本資料：
  • 零件型號：TC58BYG0S3HBAI6
  • 制造廠商：Toshiba
  • 技術規格：EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 功能類別：記憶體
  • 點擊此處下載TC58BYG0S3HBAI6的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 東芝半導體公司完整型號: TC58BYG0S3HBAI6
  • 製造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能總體簡述: EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 系列: Benand
  • 格式 - 記憶體: EEPROMs - 串行
  • 記憶體類型: EEPROM - NAND
  • 存儲容量: 1G（128M x 8）
  • 速度: 25ns
  • 介面: 並聯
  • 電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼: 67-VFBGA
  • 供應商器件封裝: 67-VFBGA（6.5x8）
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    TC58BYG0S3HBAI6（制造商：Toshiba），技術規格EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA 記憶體
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