SSM3J35MFV(TL3,T)（Toshiba）-南皇電子|電子元器件代理

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SSM3J35MFV(TL3,T)（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：SSM3J35MFV(TL3,T)

制造廠商：Toshiba

技術規格：MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

功能類別：單端場效應管

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技術參數詳情：

東芝半導體公司完整型號：SSM3J35MFV(TL3,T)

製造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，1.2V 驅動

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：100mA（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8 歐姆 @ 50mA，4V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：12.2pF @ 3V

功率 - 最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應商器件封裝：VESM

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SSM3J35MFV(TL3,T)（制造商：Toshiba），技術規格MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM 單端場效應管

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