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RN4985FE,LF(CT(Toshiba) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
RN4985FE,LF(CT圖片
基本資料:
  • 零件型號:RN4985FE,LF(CT
  • 制造廠商:Toshiba
  • 技術規格:NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
  • 功能類別:電晶體 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:RN4985FE,LF(CT
  • 製造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
  • 系列:電晶體 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
  • 零件狀態:有源
  • 電晶體類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):2.2 千歐
  • 電阻器-發射極(R2):47 千歐
  • 不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
  • 不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 250µA,5mA
  • 電流-集電極截止(最大值):500nA
  • 頻率-躍遷:250MHz,200MHz
  • 功率-最大值:100mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-563,SOT-666
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