RN1907FE,LF(CB（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
東芝半導體公司完整型號：RN1907FE,LF(CB製造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6系列：-電晶體類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω)：47k不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）頻率 - 躍遷：250MHz功率 - 最大值：100mW安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：SOT-563，SOT-666供應商器件封裝：ES6南皇電子自營直供，RN1907FE,LF(CB均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
RN1907FE,LF(CB（制造商：Toshiba），技術規格TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 陣列﹐預偏壓式電晶體
