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    RN1903FE(TE85L,F)（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    RN1903FE(TE85L,F)圖片
    基本資料：
  • 零件型號：RN1903FE(TE85L,F)
  • 制造廠商：Toshiba
  • 技術規格：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 功能類別：陣列﹐預偏壓式電晶體
  • 點擊此處下載RN1903FE(TE85L,F)的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 東芝半導體公司完整型號：RN1903FE(TE85L,F)
  • 製造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列：-
  • 電晶體類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：22k
  • 電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω)：22k
  • 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V
  • 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA
  • 電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 頻率 - 躍遷：250MHz
  • 功率 - 最大值：100mW
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
  • 供應商器件封裝：ES6
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