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    RN1106MFV,L3F（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    RN1106MFV,L3F圖片
    基本資料：
  • 零件型號：RN1106MFV,L3F
  • 制造廠商：Toshiba
  • 技術規格：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
  • 功能類別：電晶體 - 雙極（BJT）- 單，預偏置
  • 點擊此處下載RN1106MFV,L3F的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：RN1106MFV,L3F
  • 製造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
  • 系列：電晶體 - 雙極（BJT）- 單，預偏置
  • 零件狀態：有源
  • 電晶體類型：NPN - 預偏壓
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
  • 電阻器-基極(R1)：4.7 kOhms
  • 電阻器-發射極(R2)：47 kOhms
  • 不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
  • 不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 500µA，5mA
  • 電流-集電極截止（最大值）：500nA
  • 頻率-躍遷：-
  • 功率-最大值：150mW
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：SOT-723
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