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    MT3S111P(TE12L,F)（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    MT3S111P(TE12L,F)圖片
    基本資料：
  • 零件型號：MT3S111P(TE12L,F)
  • 制造廠商：Toshiba
  • 技術規格：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
  • 功能類別：電晶體 - 雙極（BJT）- 射頻
  • 點擊此處下載MT3S111P(TE12L,F)的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：MT3S111P(TE12L,F)
  • 製造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
  • 系列：電晶體 - 雙極（BJT）- 射頻
  • 零件狀態：有源
  • 電晶體類型：NPN
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：6V
  • 頻率-躍遷：8GHz
  • 雜訊係數（dB，不同f時的典型值）：1.25dB @ 1GHz
  • 增益：10.5dB
  • 功率-最大值：1W
  • 不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
  • 工作溫度：150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-243AA
  • 南皇電子自營直供，MT3S111P(TE12L,F)均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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