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MT3S111P(TE12L,F)(Toshiba) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
MT3S111P(TE12L,F)圖片
基本資料:
  • 零件型號:MT3S111P(TE12L,F)
  • 制造廠商:Toshiba
  • 技術規格:RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
  • 功能類別:電晶體 - 雙極(BJT)- 射頻
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:MT3S111P(TE12L,F)
  • 製造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
  • 系列:電晶體 - 雙極(BJT)- 射頻
  • 零件狀態:有源
  • 電晶體類型:NPN
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):6V
  • 頻率-躍遷:8GHz
  • 雜訊係數(dB,不同f時的典型值):1.25dB @ 1GHz
  • 增益:10.5dB
  • 功率-最大值:1W
  • 不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)(最小值):200 @ 30mA,5V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-243AA
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