GT8G133(TE12L,Q)（Toshiba）-南皇電子|電子元器件代理

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GT8G133(TE12L,Q)（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：GT8G133(TE12L,Q)

制造廠商：Toshiba

技術規格：IGBT 400V 600MW 8TSSOP

功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳情：

製造商產品型號：GT8G133(TE12L,Q)

製造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 400V 600MW 8TSSOP

系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：停產

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：400V

電流-集電極(Ic)（最大值）：-

電流-集電極脈衝(Icm)：150A

不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.9V @ 4V，150A

功率-最大值：600mW

開關能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關）值：1.7µs/2µs

測試條件：-

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-TSSOP（0.173，4.40mm 寬）

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GT8G133(TE12L,Q)（制造商：Toshiba），技術規格IGBT 400V 600MW 8TSSOP 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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