GT60N321(Q)（Toshiba）-南皇電子|電子元器件代理

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GT60N321(Q)（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：GT60N321(Q)

制造廠商：Toshiba

技術規格：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳情：

製造商產品型號：GT60N321(Q)

製造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：停產

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V

電流-集電極(Ic)（最大值）：60A

電流-集電極脈衝(Icm)：120A

不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，60A

功率-最大值：170W

開關能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關）值：330ns/700ns

測試條件：-

反向恢復時間(trr)：2.5µs

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-3PL

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GT60N321(Q)（制造商：Toshiba），技術規格IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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